应用于PECVD等离子增强化学气相沉积

PECVD的原理与应用：

PECVD：是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).

实验机理：是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。

优点：基本温度低；沉积速率快；成膜质量好，针孔较少，不易龟裂

在PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应。衬底温度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜，可以作为集成电路最后的钝化保护层，提高集成电路的可靠性

PECVD种类：

一种最简单的电感耦合产生等离子体的PECVD装置，可以在实验室中使用。因为负载是电感线圈所以这类负载也称感性负载。

一种平行板结构装置。衬底放在具有温控装置的下面平板上，压强通常保持在133Pa左右，射频电压加在上下平行板之间，于是在上下平板间就会出现电容耦合式的气体放电，并产生等离子体。

K-mate 系列射频电源及自动匹配器为国内多家知名企业与高校如中科院，合肥科晶等单位保持长期射频电源及自动匹配器供应。在电感耦合管式炉，与平行板等PECVD设备上针对线圈负载与容性负载。配上对应的不同阻抗网络的射频自动匹配器。能够迅速调整匹配起辉放电。且能长时间稳定运行。